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总投资70亿美元 三星加快西安NAND闪存工厂建造

admin 2019-10-17 149人围观 ,发现0个评论

  在连跌7个季度之后,NAND闪存商总投资70亿美元 三星加快西安NAND闪存工厂建造场将在今年底迎来起色,Q3季度闪存价格跌落起伏现已大幅收窄,估计Q4季度会由跌转涨,涨幅约为10%。

  价格改变的一起,上游的闪存厂商也开端有新的动作了,韩媒报导称三星方案将下一年的存储芯片开支添加到65亿美元,额定添加的资金首要用于建造坐落我国西安的闪存工厂二期工程。

总投资70亿美元 三星加快西安NAND闪存工厂建造

  在我国西安,三总投资70亿美元 三星加快西安NAND闪存工厂建造星2014年出资70亿美元建造了第一期闪存工厂,首要出产第一代V-NAND闪存芯片。2017年,三星与西安政府签署了新的协议,将在2020年之前再次出资70亿美元建造第二座闪存工厂

  不过2017年的时分闪存商场仍是牛市,价格上涨了一年多了,在2018年、2019大学生照片年闪存价格连续下滑之后,三星建造西安工厂的速度也慢下来了。现在加快建造新工厂,实际上也是由于闪存商场行将迎来拐点,2020年遍及被看好,三星大举建造新工厂,有助于抢占更高的比例。

  

(责任编辑:DF515)

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